Кафедра квантовой радиофизики и электроники

Кафедра электроники создана в 1953 году. Ее основателем и первым заведующим был профессор В. И. Гапонов. С 1978 года кафедрой заведовал профессор М. И. Кузнецов, с 1989 – академик РАН, лауреат Государственной премии, профессор С. В. Гапонов. С 2013 по 2017 годы кафедрой руководил профессор С.В. Оболенский. В настоящее время заведующим объединённой кафедрой квантовой радиофизики и электроники является доцент Маругин А.В.

Кафедра обеспечивает общие лекционные курсы по физической электронике и электронным приборам, ведет специализацию студентов старших курсов и подготовку магистров по направлениям: «СВЧ-электроника больших мощностей», «Численное моделирование сверхмощных СВЧ-источников электромагнитного излучения», «Твердотельная электроника», «Физика сверхпроводимости», «Моделирование электронных процессов в полупроводниковых приборах», «Микроволновая спектроскопия».

Кафедра имеет филиалы в Институте прикладной физики (ИПФ РАН) и Институте физики микроструктур (ИФМ РАН). Непосредственный контакт между студентами и научными работниками обеспечивает подготовку на современном мировом уровне.

Традиционными на кафедре и ее филиале в ИПФ РАН являются экспериментальные и теоретические исследования мазеров на циклотронном резонансе, лазеров на свободных электронах, гиротронов непрерывного действия для технологических целей. Эти исследования возглавляются лауреатом Государственной премии СССР профессором М. И. Петелиным.

Исследования в области твердотельной электроники сосредоточены в основном на филиале кафедры в ИФМ РАН и ведутся в рамках государственных программ «Физика твердотельных наноструктур» и «Физика конденсированных сред». Интенсивно развиваются исследования в области нестационарной микроволновой спектроскопии. Работами в этих направлениях руководят профессора С. В. Гапонов, 3. Ф. Красильник. Кроме того, на кафедре ведутся экспериментальные исследования в области СВЧ-полупроводниковой электроники терагерцового диапазона в содружестве с ФТИ РАН им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). Сотрудники кафедры проводят исследовательскую работу по численному моделированию полупроводниковых приборов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Результаты исследований находят применение как в России, так и за рубежом (США, Германия, Япония).