17 мая в 14.40, 502 ауд., 4 корп.
Председатель секции – А.А. Дубков
Секретарь – А.А. Харчева (anya-kharcheva@yandex.ru)
- Гаврилин А.Т. Об универсальности максвелловой дифференциальной структуры.
- Калякулина А.И., Юсипов И.И., Иванченко М.В. Применение вейвлет-анализа для решения задачи нахождения волн электрокардиографического сигнала.
- Китаев А.Е. Нелинейное уравнение диффузии и фазовый переход жидкость-газ.
- Рожнова М.А., Панкратова Е.В. Исследование изменения характера нейронной активности под влиянием различной концентрации молекул внеклеточного матрикса мозга.
- Пипикин О.И., Панкратова Е.В. Изучение влияния параметров внешних воз-действий на возникновение отклика в изолированных нейроподобных эле-ментах близи границы возбуждения.
- Горохов К.В., Колобков А.В., Хитева Д.В. Зависимость эффективности перемежения в OFDM-системах связи от характеристик многолучевого канала с замираниями.
Подсекция “Стохастические мультистабильные системы”
8 мая в 13.00, 502 конференц-зал, НИФТИ
Председатель секции – А.А. Дубков
Секретарь – А.А. Харчева (anya-kharcheva@yandex.ru)
- Spagnolo B. Metastability and Multystability: Understanding of stochastic dynamics in memristive switching.
Спаньоло Б. Метастабильность и мультистабильность: стохастическая ди-намика в мемристивных переключениях.
- Novikov A.S., Filatov D.O., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Spagnolo B. Resistive switching by a noise signal of a contact of an atomic force microscope probe to ZrO2 film
Новиков А.С., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Спаньоло Б. Резистивное переключение шумовым сигналом контакта зонда атомно-силового микроскопа к плёнке ZrO2(Y).
- Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. ZrO2(Y)/Ta2O5 – based memristor response to white Gaussian noise.
Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Вржещ Д.В., Табаков О.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А. В., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Реакция мемристора на основе ZrO2(Y)/Ta2O5 на белый гауссовский шум.
- Tabakov O.V., Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Koryazhkina M.N., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. Resistive switching of the memristor on the basis of the ZrO2(Y)/Ta2O5 thin-film structure by a noise signal.
Табаков О.В., Филатов Д.О., Вржещ Д.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А. В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горш-ков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Переключение мемристора на базе тон-коплёночной структуры ZrO2(Y)/Ta2O5 шумовым сигналом.
- Vrzheshch D.V., Filatov D.O., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Koryazhkina M.N., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. Temporal characteristics of the resistive switching of the memristor based on ZrO2(Y)/Ta2O5 under the action of a noise signal.
Вржещ Д.В., Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А. В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горш-ков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Временные характеристики резистивного переключения мемристора на базе ZrO2(Y)/Ta2O5 под действием шумового сигнала.
- Agudov N.V., Safonov A.V., Krichigin A.V. Steady-state distributions and relaxation times in a stochastic model of memristor.
Агудов Н.В., Сафонов А.В., Кричигин А.В. Устойчивые распределения и времена релаксации в стохастической модели мемристора.
- Umnyagin G.M., Degtyarov V.E., Obolenskiy S.V. Numerical simulation of current-voltage characteristics of bi-layer resistive memory based on non-stoichiometric metal oxides by sawtooth wave.
Умнягин Г.М., Дегтярев В.Е., Оболенский С.В. Численное моделирование пилообразной волной ВАХ двухслойной резистивной памяти на основе не-стехиометрических оксидов металлов.
- Okulich E.V., Okulich V.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Molecular dynamics simulation of the effect of stoichiometry on the filament structure in memristors based on silicon dioxide.
Окулич Е.В., Окулич В.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Молекулярно-динамическое моделирование влияния стехиометрии на структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния.
- Anikina U.I., Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Kluev A.V., Spagnolo B. Determination of activation energies of oxygen ion diffusion in memristic systems by flicker–noise spectroscopy.
Аникина Ю.И., Якимов А.В., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Антонов Д.А., Лискин Д.А., Антонов И.Н., Клюев А.В., Спаньоло Б. Определение энергий активации диффузии ионов кислорода в мемристивных системах методом фликкер–шумовой спектроскопии.
- Gerasimova S.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Pimashkin A.S., Pigareva Ya.I., Lebedeva A.V., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B., Spagnolo B. Memristive device dynamics driven by electric FitzHugh–Nagumo neuron-like signal.
Герасимова С.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Гусейнов Д.В., Пимашкин А.С., Пигарева Я.И., Лебедева А.В., Горшков О.Н., Казанцев В.Б., Спаньоло Б. Динамика мемристивного устройства, управляемого электриче-ским Фурутцо-Нагумо нейроподобным сигналом.
- Kharcheva A.A., Dubkov A.A., Spagnolo B. Probabilistic analysis of ideal memristor models under Gaussian noise.
Харчева А.А., Дубков А.А., Б. Спаньоло Вероятностный анализ моделей идеального мемристора под действием Гауссового шума.